Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interface
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the underlying structure of language proficiency and the proficiency level
هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...
15 صفحه اولDislocations at the interface between sapphire and GaN
GaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy on sapphire were imaged by synchrotron radiation X-ray topography. The threading dislocations could not be resolved in the topographs due to their high density, but a smaller density of about 105 cm-2 misfit dislocations were seen in the interface between GaN and sapphire by using large-area backreflection topography. The misfit dislocation...
متن کاملthe structure of lie derivations on c*-algebras
نشان می دهیم که هر اشتقاق لی روی یک c^*-جبر به شکل استاندارد است، یعنی می تواند به طور یکتا به مجموع یک اشتقاق لی و یک اثر مرکز مقدار تجزیه شود. کلمات کلیدی: اشتقاق، اشتقاق لی، c^*-جبر.
15 صفحه اولthe effects of changing roughness on the flow structure in the bends
flow in natural river bends is a complex and turbulent phenomenon which affects the scour and sedimentations and causes an irregular bed topography on the bed. for the reason, the flow hydralics and the parameters which affect the flow to be studied and understand. in this study the effect of bed and wall roughness using the software fluent discussed in a sharp 90-degree flume bend with 40.3cm ...
Atomic and electronic structure of Lomer dislocations at CdTe bicrystal interface
Extended defects are of considerable importance in determining the electronic properties of semiconductors, especially in photovoltaics (PVs), due to their effects on electron-hole recombination. We employ model systems to study the effects of dislocations in CdTe by constructing grain boundaries using wafer bonding. Atomic-resolution scanning transmission electron microscopy (STEM) of a [1-10]...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 1996
ISSN: 0021-8979
DOI: 10.1063/1.360812